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协昌科技(301418.SZ):目前已搭建沟槽型MOSFET、中低压SGT MOSFET、高压超结MOSFET及IGBT四个研发平台

时间:2023-08-25 12:35:11 来源:格隆汇


(相关资料图)

格隆汇8月25日丨有投资者向协昌科技(301418.SZ)提问,“请问贵司有研发芯片吗?”

协昌科技回复称,公司全资子公司凯思半导体专利从事功率芯片产品的研发和销售,公司目前已经搭建了沟槽型 MOSFET、中低压SGT MOSFET、高压超结 MOSFET 及 IGBT 四个研发平台,拥有了较为完整的产品线布局。

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